パワー半導体の熱抵抗測定器をご紹介します。

熱抵抗測定器

過渡 熱抵抗測定器シリーズ

過渡 熱抵抗測定器シリーズ

過渡 熱抵抗測定器は、IGBT / MOS-FET / Diode / BJT 等の過渡 熱抵抗を測定する装置です。
BJT過渡熱抵抗測定器は、コレクター・エミッター間に指定の電力を印加し、チップ温度を上昇させ、その前後の微少電流(Im)によるベース・エミッター間電圧の差(ΔVBE)を求める装置です。これにより試料の熱抵抗を推測することができます。
IGBT過渡 熱抵抗測定器は、BJT過渡 熱抵抗測定器と同様にゲート・エミッター間の電圧差(ΔVGE)を求める測定器です。
P-MOS FET過渡 熱抵抗測定器は、BJT過渡 熱抵抗測定器と同様にゲート・ソース間の電圧差(ΔVGS)を求める測定器です。
BJT過渡 熱抵抗測定器のベース・エミッター間でダイオードのΔVFを測定することができます。

 

◇主な仕様

印加電圧 2~30/100/600/1200V
通電電流 0.1~30/100/200/500/1000A
電力印加幅 100,200,500μS
1,2,5,10,20,50,100,200,500mS
1S,2S,30S,DC
測定電流(Im) 1~99/199/999mA
測定範囲 ΔVBE: ~999/1999mV (ただしVBE MAX: 3V)
ΔVGS/VGE: ~999/1999/9990mV (ただしVGS/VGE MAX: 20V)
サンプリング点 Td 50~990μS

※熱抵抗測定器には電力制限があり、電圧・電流・印加時間により測定できる領域が制限されます。また、その仕様により装置の大きさや重量は大きく変化します。上記仕様は一例でり、設計・製作には詳細なお打ち合わせが必要となります。詳しくはお問い合わせください。