動特性検査装置（ＡＣテスター）
各種半導体（IGBT、IPM、P-MOS FET、SiC、GaN、Tr、Diode 等）の動特性検査（測定）装置です。
◆測定項目例 スイッチングタイム・負荷短絡・Tr・Tf・Td・Eon・Eoff・Irr・Trr・Err・Qg
動特性検査は、半導体素子のスイッチング特性を評価するための重要な検査です。当社の動特性検査装置は、高速で正確な検査が可能で、高速なスイッチング動作に対応し、短時間で正確な検査結果を得ることができます。高い信頼性を持つ当社の動特性検査装置は、製品の品質を確保するために欠かせません。さらに、柔軟なカスタマイズが可能なため、お客様のニーズに合わせた検査装置の提供が可能です。
静特性検査装置（ＤＣテスター）
各種半導体（IGBT、IPM、P-MOS FET、SiC、GaN、Tr、Diode 等）を対象とした 静特性（DC特性）測定（検査）装置です。
◆測定項目例 Vf・If・Vr・Ir・Vgt・Igt・Hfe
静特性検査装置は、半導体素子の動作において非常に重要な指標となるため、製品の品質保証には欠かせません。当社の静特性検査装置は、パワー半導体の静電特性検査を高精度かつ迅速に行うことができます。微小な電流や電圧、あるいは高電圧・大電流の測定が可能であり、高精度な測定結果を提供します。また、柔軟なカスタマイズが可能であるため、お客様のニーズに合わせた検査装置の提供が可能です。
熱抵抗測定器
過渡熱抵
抗（ΔｍＶ）測定器
各種半導体（IGBT、IPM、P-MOS FET、SiC、GaN、Tr、Diode 等）を対象とした 過渡熱抵抗測定（検査）装置です。半導体に規定の電力を消費させ、半導体チップの温度上昇をいろいろなパラメータから測定します。
熱抵抗は、半導体素子の熱伝導特性を評価するための指標であり、高品質な半導体素子の開発には欠かせません。当社の熱抵抗測定器は、パワー半導体の熱特性評価において、高精度な測定を可能としており、大型サイズのサンプルにも対応しています。また、柔軟なカスタマイズが可能であり、お客様のニーズに合わせた装置の提供が可能です。
パワーサイクル試験装置
パワーサイクル（ＰＣＴ、ＴＦＴ）試験装置
各種半導体（IGBT、IPM、P-MOS FET、SiC、GaN、Tr、Diode 等）のパワーサイクル試験装置です。半導体に規定のパターンで電力を消費させ、疲労度や耐久性を検査するスクリーニング装置です。
パワーサイクル試験は、半導体素子が長期間使用された場合においても正常に動作するかどうかを評価するための試験方法であり、製品の品質保証には必須の試験となります。当社のパワーサイクル試験装置は、半導体素子の信頼性評価において欠かせない装置で、高精度かつ高速な試験が可能であり、柔軟なカスタマイズも行えます。また、多種多様な試験規格にも対応しているため、幅広い分野で利用されています。
オートハンドラー
オートハンド
ラー（モジュール／チップ）
各種半導体（IGBT、IPM、P-MOS FET、SiC、GaN、Tr、Diode 等）用のオートハンドラーです。
◆検査ラインの構築にはなくてはならない搬送機です。
《コペル電子のノウハウに基づく大電力用オリジナルコンタクトが生かされています。》