各種半導体(IGBT、IPM、P-MOS FET、SiC、GaN、Diode 等)の静特性測定装置をご紹介します。

 

静特性検査装置高速化への取り組み(技術資料)

大電流立ち上がり時間10μSを達成!
静特性検査装置高速化へのアプローチについてご紹介しています。画像をクリックしてください。

静特性検査装置高速化

 

パワー・モジュール用静特性検査装置

各種半導体(IGBT、IPM、P-MOS FET、SiC、GaN、Diode 等)のパワー・モジュパワー・モジュール用静特性検査装置ールを対象とした静特性測定装置(DC特性測定装置)です。

 

 

 

ウェーハチップ単体用静特性検査装置

各種半導体(IGBT、IPM、P-MOS FET、SiC、GaN、Diode 等)のウェーハチップ単体パワー・モジュール用静特性検査装置を対象とした静特性測定装置(DC特性測定装置)です。