各種半導体(IGBT、IPM、P-MOS FET、SiC、GaN、Diode 等)の静特性測定装置・関連情報をご紹介します。

静特性検査装置高速化への取り組み(技術資料)

大電流立ち上がり時間10μSを達成!
静特性検査装置高速化へのアプローチについてご紹介しています。画像をクリックしてください。

静特性検査装置高速化

パワー・モジュール用静特性検査装置

パワー・モジュール用静特性検査装置パワー・モジュール用静特性検査装置
各種半導体(IGBT、IPM、P-MOS FET、SiC、GaN、Diode 等)のパワー・モジュールを対象とした静特性測定装置(DC特性測定装置)です。

ウェーハチップ単体用静特性検査装置

パワー・モジュール用静特性検査装置ウェーハチップ単体用静特性検査装置
各種半導体(IGBT、IPM、P-MOS FET、SiC、GaN、Diode 等)のウェーハチップ単体を対象とした静特性測定装置(DC特性測定装置)です。